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果然是三星Intel外包模式曝光显卡台积电代工

发布日期:2021-07-30 06:56   来源:未知   阅读:

  今晚特马开奖结果,据媒体报道,最近,三星电子与英特尔签署了一份半导体代工合同,将生产英特尔设计的芯片。

  本月初,媒体曾报道称,英特尔正考虑将部分高端芯片的生产外包给苹果供应商台积电或三星电子,因为该公司正试图解决自身制造能力的问题。

  消息人士称,英特尔已经与台积电和三星电子的半导体部门就生产英特尔部分芯片的可能性进行了谈判。

  在近日举行的2020年第四季度财报电话会议上,英特尔首席执行官司睿博(Bob Swan)表示,计划将部分生产转为代工。

  据悉,三星电子和台积电是世界上仅有的两家拥有英特尔所要求的半导体技术水平的公司。

  上周,半导体行业消息人士透露,英特尔已将其南桥芯片组的生产外包给三星,这种芯片组安装在电脑主板上,控制电脑的所有输入和输出功能。

  报道称,三星可能会在其位于德克萨斯州奥斯汀的代工厂生产这种芯片,该工厂有一条配备14纳米制程技术的生产线。据了解,从今年下半年开始,该公司将在该工厂每月生产1.5万片300毫米晶圆。

  去年12月下旬,外媒报道称,三星将扩大其位于德克萨斯州的半导体工厂,以为安置下一代制造设备腾出空间。该公司认为,该工厂在争取美国科技公司订单方面发挥着至关重要的作用。一些人猜测,三星可能会增加其在美国的代工生产,以遏制其竞争对手台积电。

  目前,该公司正在扩大其代工业务,以提高其在代工市场的地位,并试图缩小它与台积电在代工市场上的差距。

  消息称,英特尔的外包计划似乎也包括三星的竞争对手台积电。其他报道暗示,台积电的7纳米制程节点将生产英特尔的图形处理器(GPU)。

  Intel这几年在工艺进度上落后跟10nm、7nm工艺多次跳票有关,而新工艺延期也跟Intel此前不考虑EUV工艺有关,所以10nm工艺才上了四重曝光,导致良率上不去,迟迟无法量产。Intel之前认为EUV工艺不够成熟,现在EUV光刻工艺已经量产几年了,Intel也开始跟进了,原先的7nm工艺、现在的Intel 4工艺会是全面使用EUV光刻机的开始,首款产品是Meteor Lake流星湖,2023年发布。之后的Intel 3工艺、Intel 20A工艺上也会持续利用EUV工艺,进一步提升性能及能效。再往后Intel还会积极跟进EUV技术发展,2025年之后的工艺已经规划到了Intel 18A,将使用第二代

  Intel上周末发布了2021年Q2季度财报,其中一个重要变化就是10nm工艺终于成了,成本大降45%,产能也超过了14nm工艺,成为Intel新的中流砥柱。Intel在2019年才搞定了10nm工艺的量产,推出了Ice Lake处理器,2020年推出了Tiger Lake处理器,升级到了第二代的10nm SF工艺,现在的成本已经降低了45%,意味着良率有了很大的提升,生产不是问题。那10nm工艺大降到底带来多少收益呢?Intel在文件中也给出了明确的数据,在Q2季度中CCG个人电脑部门的运营利润从28亿美元增长到了38亿美元,其中一半的利润增加都是来自10nm工艺升级。具体来看,10nm工艺的成本降低带来了5.4亿美元的利润

  多赚了5.4亿美元 /

  上周,两大芯片制造商对于飙升的半导体需求是否会在今年下半年开始缓和,给出了截然不同的看法,可能我们可能需要下周的另一轮财报才能解决这个问题。德州仪器周三给出的第三季度销售预测基本持平,公司高管拒绝透露今年最后一个季度的情况,并暗示订单可能会放缓。相比之下,英特尔公司周四上调了全年预测,首席执行官Pat Gelsinger)表示,芯片行业可能需要两年时间才能满足“爆炸性需求”,并预测 在家工作的安排将再一次推动PC 销售的繁荣。然而,分析师认为英特尔的前景受到强劲的、已经结束的第二季度的推动,并表示这表明 2021 年最后一个季度将走弱。投资者对此表示同意。Summit Insights Group 的分析师 Kinngai Chan

  重磅新品!研华EI-52边缘智能系统搭载Intel第11代处理器,助您开启5G和AI应用时代2021年 ,中国•台北–全球嵌入式产品及方案供应商研华科技荣幸地宣布推出新品 EI-52高性能边缘智能系统。此款产品设计紧凑,搭载第 11 代Intel Core i5/i3/Celeron处理器,采用即插即用系统设计,为边缘到云端互连和 5G & AI 解决方案而设计。 它包括硬件和软件集成包,内置Edge X Foundry 物联网即插即用开放软件框架和研华的 WISE-DeviceOn 物联网边缘智能软件。 EI-52赋能5G和AI应用,支持AIW 5G模块、Wi-Fi套件、VEGA AI加速模块和FaceView人脸识别I

  第11代处理器 /

  作为半导体工业中的核心,芯片制造是最关键也是最难的,进入10nm节点之后全球现在也就是台积电、Intel、三星三家公司选择继续玩下去。表面来看Intel的进度是最慢的,然而其他两家的工艺“水分”也不小,三星的3nm工艺密度才跟Intel的7nm差不多。Digitimes日前发表了研究报告,分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题,对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况。在10nm节点,三星的晶体管密度只有0.52亿/mm2,台积电是0.53亿/mm2,Intel已经达到了1.06亿/mm2,密度高出一倍左右。7nm节点,三星的工艺密度是0.95亿/mm2,台积电是0.97亿/mm2

  5nm工艺曝光:直逼IBM 2nm /

  近日业界盛传,Intel计划以20亿美元收购RISC-V IP供应商SiFive——后者的产品已被80多家公司采纳,设计了200多种产品,出货量极大,广泛用于各种加速器。虽然双方对于收购都拒绝置评,但深入合作已经展开。Intel官方宣布,将会打造自己的RISC-V开发平台“Horse Creek”,基于SiFive最新的高性能核心Performance P550,而且还会采用自己的下一代7nm工艺。同时,Intel也将对外开放SiFive IP的代工制造服务,同样使用7nm工艺。SiFive Performance P550核心是其性能最强的IP,SPEC2006int测试单位GHz的成绩达到了8.65,支持Linux,完整

  官宣开发RISC-V处理器:明年首发7nm工艺 /

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